Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Hai visto un errore?

IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 1.75 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

726-IPD60R180CM8XTMA

N. produttore:

IPD60R180CM8XTMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

IPD60R180CM8XTMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Infineon Technologies IPD60R180CM8XTMA1

A magazzino: 1.925

A magazzino:: 1.925 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 8 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,75 €	1,75 €
	1,18 €	11,80 €
	0,845 €	84,50 €
	0,727 €	363,50 €
	0,687 €	687,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,584 €	1.460,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	18 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	180 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.7 V
Qg - Carica del gate:	17 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	127 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	12.8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	6 ns
Serie:	600V CM8
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	88.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	17.2 ns
Alias n. parte:	IPD60R180CM8 SP005578057

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

IPD60R180CM8XTMA1 Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a supergiunzione CoolMOS™

I transistor di potenza CoolMOS™ di Infineon offrono tutti i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida. Con la generazione CoolMOS 7, Infineon continua a fissare i parametri di riferimento per prezzo, prestazioni e qualità.

MOSFET di potenza 650 V CoolMOS™ CFD7A SJ

I MOSFET di potenza da 650 V CoolMOS™ CFD7A SJ di Infineon sono adatti all'applicazione in veicoli elettrici per i caricabatterie integrati, i convertitori AT-BT in CC e gli alimentatori ausiliari. Grazie alla maggiore resistenza alle radiazioni cosmiche, i MOSFET di potenza CoolMOS CFD7A SJ consentono l'applicazione di tensioni di batteria maggiori con un tasso di affidabilità pari a quello delle generazioni precedenti e di altre offerte di mercato. I MOSFET di potenza CoolMOS CFD7A SJ assicurano elevati livelli di efficienza nelle topologie hard- e soft-switching o risonanti, specialmente in condizioni di carico leggero. Si raggiungono frequenze di commutazione più elevate con livelli di perdita di gate paragonabili a quelli delle generazioni precedenti. La riduzione del peso del sistema e lo spazio occupato più ridotto si traducono in progetti più compatti.

MOSFET CoolMOS™ 8 SJ

I MOSFET CoolMOS™ 8 SJ di Infineon Technologies sono soluzioni tecnologiche MOSFET a supergiunzione ad alta tensione. Il CoolMOS 8 di Infineon Technologies ha un diodo integrato rapido e si adatta perfettamente a diverse applicazioni. Il CoolMOS 8 migliora il portafoglio di MOSFET a banda larga (WBG) Infineon come successore della famiglia di MOSFET CoolMOS 7 a600 V.

Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.