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DF200R12KE3

Name: Infineon DF200R12KE3
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-DF200R12KE3
Price: 92.4 EUR
Availability: InStock

N. Mouser:

641-DF200R12KE3

N. produttore:

DF200R12KE3

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Moduli IGBT 1200V 200A DUAL

Scheda dati:

DF200R12KE3 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Moduli IGBT
RoHS::
Prodotto:	IGBT Silicon Modules
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	1.2 kV
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.7 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	200 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	400 nA
Pd - Dissipazione di potenza:	1.04 kW
Package/involucro:	IS5a ( 62 mm )-5
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Confezione:	Tray
Marchio:	Infineon Technologies
Tensione gate-emettitore massima:	20 V
Stile di montaggio:	Screw Mount
Tipo di prodotto:	IGBT Modules
Serie:	IGBT3 - E3
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	IGBTs
Tecnologia:	Si
Alias n. parte:	SP000100741 DF200R12KE3HOSA1
Peso unità:	340 g