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BSG0811NDATMA1

Name: Infineon BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSG0811NDATMA1
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-BSG0811NDATMA1

N. produttore:

BSG0811NDATMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET IFX FET 15V-30V

Scheda dati:

BSG0811NDATMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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A magazzino: 1.494

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,31 €	2,31 €
	1,53 €	15,30 €
	1,11 €	111,00 €
	0,92 €	460,00 €
	0,903 €	2.257,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,777 €	3.885,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

BSG0811ND

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

2,56 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TISON-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	25 V
Id - corrente di drain continua:	50 A, 50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.4 mOhms, 3.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.6 V
Qg - Carica del gate:	5.6 nC, 20 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	2.5 W, 6.25 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	OptiMOS
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	1.4 ns, 2.6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	46 S, 90 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	4.3 ns, 4.7 ns
Serie:	OptiMOS 5
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	4.3 ns, 8.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	4.3 ns, 5.6 ns
Alias n. parte:	BSG0811ND SP001075902
Peso unità:	112,200 mg

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Application Notes

Other

Packaging:PG-TISON-8-4 | BSG0811NDATMA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model OptiMOS™ Power MOSFET PSpice 25V N-Channel (CAP)

Technical Resources

Article Improving Power Density and Efficiency in Servers and Telecom PSD (PDF)

Test/Quality Data

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Infineon Technologies offre semiconduttori su misura che tengono conto delle priorità dei clienti – prezzo/prestazioni rispetto all’alta densità di potenza (ultra). La gamma comprende l’intera catena di prodotti di origine USB-C™, che vanno dagli interruttori di alimentazione HV/LV ai controller PWM, controller USB-C per la fornitura dell’alimentazione e dispositivi di protezione ESD.