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BFR380L3E6327XTMA1

Name: Infineon BFR380L3E6327XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327XTM
Price: 0.26 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-BFR380L3E6327XTM

N. produttore:

BFR380L3E6327XTMA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

Transistor RF bipolari NPN Silicon RF TRANSISTOR

Scheda dati:

BFR380L3E6327XTMA1 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 15000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	0,267 €	0,27 €
	0,161 €	1,61 €
	0,128 €	12,80 €
	0,121 €	60,50 €
	0,116 €	116,00 €
	0,111 €	277,50 €
	0,108 €	540,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 15000)
	0,098 €	1.470,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

BFR 380L3 E6327

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

0,58 €

Min:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	Transistor RF bipolari
RoHS::
Serie:	BFR380L3
Tipo di transistor:	Bipolar
Tecnologia:	Si
Polarità transistor:	NPN
Frequenza di lavoro:	14 GHz
Collettore DC/Guadagno base hfe Min:	90
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	6 V
Tensione emettitore-base VEBO:	2 V
Corrente continua collettore:	80 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Configurazione:	Single
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TSLP-3
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Corrente CC massima collettore:	80 mA
Pd - Dissipazione di potenza:	380 mW
Tipo di prodotto:	RF Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica:	15000
Sottocategoria:	Transistors
Alias n. parte:	BFR 380L3 E6327 SP000013562
Peso unità:	0,550 mg

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Packaging:PG-TSLP-3-1 | BFR380L3E6327XTMA1 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Transistor RF Infineon

I transistor RF Infineon includono amplificatori a basso rumore e transistor a elevata linearità. I dispositivi nella categoria a basso rumore sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio. La frequenza di transizione moderata di <20 GHz fornisce semplicità d'uso e stabilità. La tensione di rottura può supportare in modo sicuro tensione di alimentazione di Breakdown 5 V. Questi transistor sono utilizzabili con AM su VHF/UHF fino a 14 GHz.

I transistor a elevata linearità forniscono OIP3 (punto di intercettazione di uscita di terzo ordine) superiore a 29 dBm. Sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio a volume levato e la tecnologia SiGe:C di Infineon per le cifre di rumore migliori del settore. Questi dispositivi sono ideali per driver, preamplificatori e amplificatori a buffer.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.