BFP 193 E6327

Infineon Technologies
726-BFP193E6327
BFP 193 E6327

Produttore:

Descrizione:
Transistor RF bipolari NPN Silicon RF TRANSISTOR

Modello ECAD:
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Prezzi (EUR)

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Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™
0,464 € 0,46 €
0,285 € 2,85 €
0,187 € 18,70 €
0,137 € 68,50 €
0,125 € 125,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
0,106 € 318,00 €
0,095 € 570,00 €
0,088 € 792,00 €
0,087 € 2.088,00 €
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Produttore Codice prodotto:
Imballaggio:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilità:
A magazzino
Prezzo:
0,24 €
Min:
1

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Infineon
Categoria prodotto: Transistor RF bipolari
RoHS::  
BFP193
Bipolar
Si
NPN
8 GHz
12 V
2 V
80 mA
- 65 C
+ 150 C
Single
SMD/SMT
SOT-143-4
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Infineon Technologies
Tensione base-collettore VCBO: 20 V
Guadagno in corrente CC hFE max: 70 at 30 mA at 8 V
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 8000 MHz
Altezza: 1 mm
Lunghezza: 2.9 mm
Corrente CC massima collettore: 80 mA
Pd - Dissipazione di potenza: 580 mW
Tipo di prodotto: RF Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo: RF Bipolar Small Signal
Larghezza: 1.3 mm
Alias n. parte: SP000011024 BFP193E6327XT BFP193E6327HTSA1
Peso unità: 1,223 g
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

Transistor RF Infineon

I transistor RF Infineon includono amplificatori a basso rumore e transistor a elevata linearità. I dispositivi nella categoria a basso rumore sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio. La frequenza di transizione moderata di <20 GHz fornisce semplicità d'uso e stabilità. La tensione di rottura può supportare in modo sicuro tensione di alimentazione di Breakdown 5 V. Questi transistor sono utilizzabili con AM su VHF/UHF fino a 14 GHz.

I transistor a elevata linearità forniscono OIP3 (punto di intercettazione di uscita di terzo ordine) superiore a 29 dBm. Sono basati sulla tecnologia bipolare al silicio a volume levato e la tecnologia SiGe:C di Infineon per le cifre di rumore migliori del settore. Questi dispositivi sono ideali per driver, preamplificatori e amplificatori a buffer.