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MCNA180PD2200YB

Name: IXYS MCNA180PD2200YB
Brand: IXYS
SKU: 747-MCNA180PD2200YB
Price: 87.17 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-MCNA180PD2200YB

N. produttore:

MCNA180PD2200YB

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli SCR Bipolar Module - Thyristor Y4-M5/6

Scheda dati:

MCNA180PD2200YB Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli SCR
RoHS::
REACH - SVHC:
Corrente RMS in stato attivo - It RMS:	280 A
Corrente in stato attivo non ripetitiva:	5.4 kA
Tensione a circuito aperto ripetuta nominale VDRM:	2.2 kV
Corrente di mantenimento IH Max:	200 mA
Tensione di trigger gate - Vgt:	2 V
Corrente di trigger gate - Igt:	150 mA
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 125 C
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	Y4
Confezione:	Bulk
Marchio:	IXYS
Tipo di circuito:	Phase Leg
Tipo di prodotto:	SCR Modules
Quantità colli di fabbrica:	6
Sottocategoria:	Thyristors
Tecnologia:	Si

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USHTS:: 8541300080
ECCN:: EAR99

Diodi a tiristori doppi MCNAxxYA/YB

I diodi a tiristori doppi MCNAxxYA/YB di IXYS offrono un intervallo di tensione da 1,18 V a 1,19 V, un intervallo di corrente da 150 A a 220 A e una tensione di isolamento da 4800 V. Questi diodi presentano stabilità a lungo termine, un chip passivato planare e un package Y4 con ciclo di potenza avanzato e peso ridotto. I diodi a tiristori doppi MCNAxxYA/YB di IXYS sono ideali per convertitori di potenza, illuminazione e controllo della temperatura e controllo motore CC.

High Voltage NEC 600V+ Circuit Protection

Single- & Dual-Thyristor Modules

IXYS Single- and Dual-Thyristor Modules are single- or dual-thyristor modules with 800V to 2200V repetitive peak reverse voltage and 18A to 700A average forward output current. IXYS single- and dual-thyristors feature 3000V isolation voltage (UL recognized) and low forward voltage drop of 0.72V to 0.85V. These planar passivated chips utilize direct copper board (DCB) substrate technology.