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IXTX22N100L

Name: IXYS IXTX22N100L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX22N100L
Price: 38.09 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXTX22N100L

N. produttore:

IXTX22N100L

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A

Scheda dati:

IXTX22N100L Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-PLUS-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1 kV
Id - corrente di drain continua:	22 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	600 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5.5 V
Qg - Carica del gate:	270 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	700 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	50 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	35 ns
Serie:	IXTX22N100
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	80 ns
Tipico ritardo di accensione:	36 ns
Peso unità:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.