IXTX170P10P

Name: IXYS IXTX170P10P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX170P10P
Price: 20.16 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXTX170P10P

N. produttore:

IXTX170P10P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds

Scheda dati:

IXTX170P10P Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	170 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	12 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	240 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	890 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Transconduttanza diretta - Min:	58 S/35 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	IXTX170P10
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Peso unità:	6 g