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IXTQ30N50L2

Name: IXYS IXTQ30N50L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ30N50L2
Price: 8.96 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXTQ30N50L2

N. produttore:

IXTQ30N50L2

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A

Scheda dati:

IXTQ30N50L2 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-3P-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	500 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	200 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.5 V
Qg - Carica del gate:	240 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	400 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	Linear L2
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	40 ns
Transconduttanza diretta - Min:	9 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	117 ns
Serie:	IXTQ30N50
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	94 ns
Tipico ritardo di accensione:	35 ns
Peso unità:	1,600 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.