IXTP140N055T2

IXYS
747-IXTP140N055T2
IXTP140N055T2

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 140 Amps 0V

Modello ECAD:
Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Disponibilità

A magazzino:
Non disponibile a magazzino
Tempo di consegna da parte della fabbrica:
23 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica.
Minimo: 300   Multipli: 50
Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Per questo prodotto la spedizione è GRATUITA

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
2,77 € 831,00 €

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
IXYS
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
55 V
140 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
82 nC
- 55 C
+ 175 C
180 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marchio: IXYS
Configurazione: Single
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: KR
Tempo di caduta: 17 ns
Transconduttanza diretta - Min: 40 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 35 ns
Serie: IXTP140N055
Quantità colli di fabbrica: 50
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 21 ns
Tipico ritardo di accensione: 13 ns
Peso unità: 2 g
Prodotti trovati:
Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo
Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.
Attributi selezionati: 0

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.