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IXTH75N10L2

Name: IXYS IXTH75N10L2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH75N10L2
Price: 15.13 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXTH75N10L2

N. produttore:

IXTH75N10L2

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA

Scheda dati:

IXTH75N10L2 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	15,13 €	15,13 €
	9,40 €	94,00 €
	9,09 €	1.090,80 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	75 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	21 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	215 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	400 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	IXTH75N10
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.