IXTH30N60L2

IXYS
747-IXTH30N60L2
IXTH30N60L2

Produttore:

Descrizione:
MOSFET 30 Amps 600V

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
IXYS
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
240 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
335 nC
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Linear L2
Tube
Marchio: IXYS
Configurazione: Single
Paese di assemblaggio: KR
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: KR
Tempo di caduta: 43 ns
Transconduttanza diretta - Min: 10 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 65 ns
Serie: IXTH30N60
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 123 ns
Tipico ritardo di accensione: 43 ns
Peso unità: 6 g
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Attributi selezionati: 0

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TARIC:
8541500000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.