IXTH11P50

Name: IXYS IXTH11P50
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH11P50
Price: 11.02 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

747-IXTH11P50

N. produttore:

IXTH11P50

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET -11 Amps -500V 0.75 Rds

Scheda dati:

IXTH11P50 Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 865

A magazzino:: 865 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 57 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	11,02 €	11,02 €
	6,68 €	66,80 €
	6,63 €	795,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	P-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	500 V
Id - corrente di drain continua:	11 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	750 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	130 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	300 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	KR
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	35 ns
Transconduttanza diretta - Min:	5 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	27 ns
Serie:	IXTH11P50
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 P-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	33 ns
Peso unità:	6 g