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IXTA130N10T7

Name: IXYS IXTA130N10T7
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA130N10T7
Price: 2.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXTA130N10T7

N. produttore:

IXTA130N10T7

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

Scheda dati:

IXTA130N10T7 Scheda dati

Modello ECAD:

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	1,20 €	120,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	130 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	8.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	360 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	28 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	47 ns
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	44 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Peso unità:	4 g

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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