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IXFT24N90P

Name: IXYS IXFT24N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT24N90P
Price: 15.54 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFT24N90P

N. produttore:

IXFT24N90P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Scheda dati:

IXFT24N90P Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	900 V
Id - corrente di drain continua:	24 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	420 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	6.5 V
Qg - Carica del gate:	130 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	660 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	38 ns
Transconduttanza diretta - Min:	16 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	40 ns
Serie:	IXFT24N90
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	68 ns
Tipico ritardo di accensione:	46 ns
Peso unità:	4,500 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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