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IXFR44N60

Name: IXYS IXFR44N60
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR44N60
Price: 19.55 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXFR44N60

N. produttore:

IXFR44N60

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 600V 38A

Scheda dati:

IXFR44N60 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	38 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	130 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	330 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	400 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	45 ns
Transconduttanza diretta - Min:	45 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	55 ns
Serie:	HiPerFET
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	110 ns
Tipico ritardo di accensione:	42 ns
Peso unità:	6 g

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

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