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IXFP4N100P

Name: IXYS IXFP4N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP4N100P
Price: 4.42 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXFP4N100P

N. produttore:

IXFP4N100P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 4 Amps 1000V

Scheda dati:

IXFP4N100P Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1 kV
Id - corrente di drain continua:	4 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	3.3 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	6 V
Qg - Carica del gate:	26 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	50 ns
Transconduttanza diretta - Min:	1.8 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	36 ns
Serie:	IXFP4N100
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	37 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns
Peso unità:	2 g

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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