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IXFN90N85X

Name: IXYS IXFN90N85X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN90N85X
Price: 46.74 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

747-IXFN90N85X

N. produttore:

IXFN90N85X

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class

Scheda dati:

IXFN90N85X Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	850 V
Id - corrente di drain continua:	90 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	41 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.5 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.2 kW
Serie:	X-Class
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	20 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Ritardo di spegnimento tipico:	126 ns
Tipico ritardo di accensione:	50 ns
Peso unità:	30 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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ECCN:: EAR99

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