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IXFN82N60Q3

Name: IXYS IXFN82N60Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN82N60Q3
Price: 50.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFN82N60Q3

N. produttore:

IXFN82N60Q3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A

Scheda dati:

IXFN82N60Q3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	66 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	75 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, + 30 V
Pd - Dissipazione di potenza:	960 W
Serie:	IXFN82N60
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	300 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HiPerFET
Peso unità:	30 g

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza HiperFET™ di classe Q3

IXYSI MOSFET di potenza HiperFET™ della classe Q3 di IXYS offrono all'utente finale un'ampia gamma di dispositivi con eccezionali prestazioni di commutazione di potenza. Offrono inoltre eccellenti caratteristiche termiche, una maggiore robustezza del dispositivo e un'elevata efficienza energetica. Questi MOSFET hanno valori di tensione drain-to-source compresi tra 200 V e 1.000 V e valori di corrente drain compresi tra 10 A e 100 A. Queste caratteristiche rendono la classe Q3 una combinazione ottimizzata di bassa resistenza di stato attivo (R_dson) e carica di gate (Q_g), riducendo sostanzialmente la perdita di conduzione e di commutazione del dispositivo. Le capacità di commutazione di potenza e la robustezza del dispositivo sono ulteriormente migliorate grazie all'utilizzo del processo HiperFET. Questo processo produce un dispositivo con un raddrizzatore intrinseco veloce, che fornisce una bassa carica di recupero inversa (Q_rr), migliorando al contempo i valori di dv/dt di commutazione del dispositivo (fino a 50 V/ns).

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .