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IXFN64N60P

Name: IXYS IXFN64N60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN64N60P
Price: 29.29 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFN64N60P

N. produttore:

IXFN64N60P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET 600V 64A

Scheda dati:

IXFN64N60P Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	96 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, + 30 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	700 W
Serie:	IXFN64N60
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	24 ns
Altezza:	9.6 mm
Lunghezza:	38.2 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	23 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Ritardo di spegnimento tipico:	79 ns
Tipico ritardo di accensione:	28 ns
Larghezza:	25.07 mm
Peso unità:	30 g

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.