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IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 51.23 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFN56N90P

N. produttore:

IXFN56N90P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

Scheda dati:

IXFN56N90P Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	900 V
Id - corrente di drain continua:	56 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	135 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	6.5 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1 kW
Serie:	IXFN56N90
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	38 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	80 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Ritardo di spegnimento tipico:	93 ns
Tipico ritardo di accensione:	74 ns
Peso unità:	30 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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