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IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 39.49 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFN210N30P3

N. produttore:

IXFN210N30P3

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

Scheda dati:

IXFN210N30P3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	300 V
Id - corrente di drain continua:	192 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	14.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.5 kW
Serie:	IXFN210N30
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	25 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Ritardo di spegnimento tipico:	94 ns
Tipico ritardo di accensione:	46 ns
Peso unità:	30 g

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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.