IXFN200N07

Name: IXYS IXFN200N07
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN200N07
Price: 41.15 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFN200N07

N. produttore:

IXFN200N07

Produttore:

IXYS

Descrizione:

Moduli MOSFET 70V 200A

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IXFN200N07 Scheda dati

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	Moduli MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Screw Mount
Package/involucro:	SOT-227-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	70 V
Id - corrente di drain continua:	200 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	520 W
Serie:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	60 ns
Altezza:	9.6 mm
Lunghezza:	38.23 mm
Tipo di prodotto:	MOSFET Modules
Tempo di salita:	60 ns
Quantità colli di fabbrica:	10
Sottocategoria:	Discrete and Power Modules
Nome commerciale:	HyperFET
Ritardo di spegnimento tipico:	100 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Larghezza:	25.42 mm
Peso unità:	30 g