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IXFK140N30P

Name: IXYS IXFK140N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFK140N30P
Price: 19.91 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFK140N30P

N. produttore:

IXFK140N30P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds

Scheda dati:

IXFK140N30P Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-264-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	300 V
Id - corrente di drain continua:	140 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	24 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	185 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	1.04 kW
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	20 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	IXFK140N30
Quantità colli di fabbrica:	25
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	100 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Peso unità:	10 g

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ECCN:: EAR99

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