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IXFH76N07-11

Name: IXYS IXFH76N07-11
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH76N07-11
Price: 13.39 EUR
Availability: Discontinued

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N. Mouser:

747-IXFH76N07-11

N. produttore:

IXFH76N07-11

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 70V 76A

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IXFH76N07-11 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	70 V
Id - corrente di drain continua:	76 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	11 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	360 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HyperFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	55 ns
Transconduttanza diretta - Min:	40 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	70 ns
Serie:	HiPerFET
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	130 ns
Tipico ritardo di accensione:	40 ns
Peso unità:	6 g