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IXFH6N120P

Name: IXYS IXFH6N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH6N120P
Price: 10.51 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFH6N120P

N. produttore:

IXFH6N120P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

Scheda dati:

IXFH6N120P Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.2 kV
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.75 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	92 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	250 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	14 ns
Transconduttanza diretta - Min:	3 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	11 ns
Serie:	HiPerFET
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	60 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns
Peso unità:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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