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IXFH34N65X2W

Name: IXYS IXFH34N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X2W
Price: 7.46 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFH34N65X2W

N. produttore:

IXFH34N65X2W

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 650V 100mohm 34A X2-Class HiPerFET in TO-247

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

IXFH34N65X2W Scheda dati (PDF)

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Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	7,46 €	7,46 €
	4,37 €	43,70 €
	3,68 €	441,60 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	34 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	100 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	64 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	540 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	18 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	52 ns
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	66 ns
Tipico ritardo di accensione:	38 ns

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Scheda dati

IXFH34N65X2W Scheda dati (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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