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IXFH120N15P

Name: IXYS IXFH120N15P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH120N15P
Price: 7.8 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

747-IXFH120N15P

N. produttore:

IXFH120N15P

Produttore:

IXYS

Descrizione:

MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds

Scheda dati:

IXFH120N15P Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	IXYS
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	150 V
Id - corrente di drain continua:	120 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	16 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	150 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	600 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	HiPerFET
Confezione:	Tube
Marchio:	IXYS
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	KR
Tempo di caduta:	26 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	42 ns
Serie:	IXFH120N15P
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	85 ns
Tipico ritardo di accensione:	33 ns
Peso unità:	6 g

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TARIC:: 8541500000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
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MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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