LF21064NTR

IXYS Integrated Circuits
747-LF21064NTR
LF21064NTR

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta HI LO Side DRVR 130mA SOIC(N)-14

Scheda dati:
Modello ECAD:
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-,-- €
Prezzo esteso:
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Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
1,23 € 1,23 €
0,894 € 8,94 €
0,81 € 20,25 €
0,719 € 71,90 €
0,696 € 174,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,696 € 1.740,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
IXYS
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Driver ICs - Various
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-14
2 Driver
2 Output
10 V
20 V
100 ns
35 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: IXYS Integrated Circuits
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: CN
Tipo di logica: CMOS, TTL
Ritardo di spegnimento massimo: 280 ns
Ritardo di accensione massimo: 300 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 120 uA
Pd - Dissipazione di potenza: 1 W
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 30 ns
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: Si
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

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TARIC:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

CI di gate driver lato alto e lato basso

I CI dei gate driver lato alto e lato basso di IXYS offrono capacità di corrente di uscita dissipatore/sorgente da 600 mA/290 mA a 4,5 A/4,5 A. I dispositivi presentano un ampio intervallo di tensione di funzionamento da 10 V a 20 V. Le protezioni includono il blocco sottotensione (UVLO) e la protezione da sovracorrente. I CI dei gate driver lato alto e lato basso IXYS operano da -40 °C a +125 °C e sono disponibili in package SOIC-8 , SOIC-14 , SOIC-16 e piedinatura standard di settore.

Gate driver per MOSFET e IGBT a canale N

I gate driver IXYS per MOSFET e IGBT a canale N includono gate driver ad alta tensione e CI di gate driver trifase. Questi dispositivi sono progettati per azionare due MOSFET a canale N o IGBT in una configurazione a mezzo ponte o una configurazione a monte/a valle. La tecnologia ad alta tensione consente al lato a monte di passare a 600 V in un funzionamento bootstrap. I driver forniscono buffer di corrente a impulsi elevati progettati per una conduzione trasversale minima del driver. Le altre caratteristiche includono ingressi logici con capacità di 3,3 V, ingressi logici attivati da Schmitt e protezione da blocco sottotensione (UVLO). I gate driver di IXYS per MOSFET e IGBT a canale N operano in un ampio intervallo di temperature da -40 °C a +125 °C.

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