EPC8002

Name: EPC EPC8002
Brand: EPC
SKU: 65-EPC8002
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

65-EPC8002

N. produttore:

EPC8002

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85

Scheda dati:

EPC8002 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	LGA-6
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	65 V
Id - corrente di drain continua:	2 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	480 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	133 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	Not Available
Confezione:	Reel
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	3,100 mg