EPC2036

Name: EPC EPC2036
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2036
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

65-EPC2036

N. produttore:

EPC2036

Produttore:

EPC

Descrizione:

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

EPC2036 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

A magazzino: 12.370

A magazzino:: 12.370 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 18 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,69 €	1,69 €
	1,08 €	10,80 €
	0,728 €	72,80 €
	0,578 €	289,00 €
	0,53 €	530,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,476 €	1.190,00 €
	0,459 €	2.295,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	EPC
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	BGA-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	1.7 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	73 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	700 pC
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	eGaN FET
Marchio:	EPC
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	TW
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Prodotto:	Power Transistor
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Peso unità:	1,300 mg