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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

637-DI105N04PQ-AQ

N. produttore:

DI105N04PQ-AQ

Produttore:

Diotec Semiconductor

Descrizione:

MOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Scheda dati:

DI105N04PQ-AQ Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,44 €	1,44 €
	1,12 €	11,20 €
	0,673 €	67,30 €
	0,667 €	333,50 €
	0,646 €	646,00 €
	0,571 €	1.427,50 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 5000)
	0,537 €	2.685,00 €
	0,463 €	4.630,00 €
	0,454 €	11.350,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diotec Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	QFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	40 V
Id - corrente di drain continua:	105 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.4 V
Qg - Carica del gate:	23 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	83 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Diotec Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	9.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	116 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8.3 ns
Serie:	DI100N
Quantità colli di fabbrica:	5000
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	28 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns
Alias n. parte:	N-CHANNEL

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Scheda dati

DI105N04PQ-AQ Scheda dati (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI105N04PQ N-Channel Power MOSFET is a 40V drain-source voltage (V_DSS) N-channel power MOSFET in a low profile, space-saving TDSON-8 package. It comes with a 105A continuous drain current (I_D) and 83W power dissipation (P_tot). The device offers a low drain-source on-state resistance of 2.9mΩ typical (V_GS=4.5V I_D=50A). The Diotec Semiconductor DI105N04PQ is ideal for DC/DC converters, power supplies, DC drives, power tools, and synchronous rectifier applications.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.