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BIDW50N65T

Name: Bourns BIDW50N65T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDW50N65T
Price: 4.34 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

652-BIDW50N65T

N. produttore:

BIDW50N65T

Produttore:

Bourns

Descrizione:

IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247

Scheda dati:

BIDW50N65T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	2,48 €	24,80 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Bourns
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.65 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	100 A
Pd - Dissipazione di potenza:	416 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	BID
Confezione:	Tube
Marchio:	Bourns
Corrente continua di collettore Ic max:	100 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	400 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Soluzioni di elettrificazione

Le soluzioni di elettrificazione di Bourns presentano una gamma completa di trasformatori, bobine di arresto, diodi, resistori, fusibili, transistor e varistori. Questi prodotti sono progettati per i sistemi utilizzati nel processo di elettrificazione, che è il passaggio da fonti di energia tradizionali, come il petrolio e il gas, a forme di energia più pulite e più sostenibili. L’elettrificazione influisce sul modo in cui le automobili vengono alimentate, le abitazioni e le industrie sono riscaldate, con l’obiettivo finale di ridurre l’inquinamento atmosferico e gli sprechi energetici. Un esempio è una pompa di calore, che è fino a 3 volte più efficiente di una caldaia per risparmiare sulle bollette del riscaldamento.

Transistor bipolari a gate isolato modello BID

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) modello BID di Bourns combinano la tecnologia da un gate MOSFET e un transistor bipolare e sono progettati per applicazioni ad alta tensione/alta corrente. Gli IGBT Modello BID utilizzano la tecnologia Trench-Gate Field-Stop avanzata per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, con una tensione di saturazione collettore-emettitore più bassa e minori perdite di commutazione. Gli IGBT presentano un intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a +150°C e sono disponibili in package TO-252, TO-247 e TO-247N. Questi componenti termicamente efficienti offrono una resistenza termica inferiore, che li rende soluzioni IGBT adatte ad alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).