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BIDW20N60T

Name: Bourns BIDW20N60T
Brand: Bourns
SKU: 652-BIDW20N60T
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

652-BIDW20N60T

N. produttore:

BIDW20N60T

Produttore:

Bourns

Descrizione:

IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247

Scheda dati:

BIDW20N60T Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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	1,94 €	1.164,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Bourns
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	TO-247-3
Stile di montaggio:	Through Hole
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	600 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.7 V
Tensione gate-emettitore massima:	- 20 V, 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	40 A
Pd - Dissipazione di potenza:	192 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Serie:	BID
Confezione:	Tube
Marchio:	Bourns
Corrente continua di collettore Ic max:	40 A
Corrente di perdita gate-emettitore:	400 nA
Tipo di prodotto:	IGBT Transistors
Quantità colli di fabbrica:	600
Sottocategoria:	IGBTs

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor bipolari a gate isolato modello BID

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) modello BID di Bourns combinano la tecnologia da un gate MOSFET e un transistor bipolare e sono progettati per applicazioni ad alta tensione/alta corrente. Gli IGBT Modello BID utilizzano la tecnologia Trench-Gate Field-Stop avanzata per fornire un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, con una tensione di saturazione collettore-emettitore più bassa e minori perdite di commutazione. Gli IGBT presentano un intervallo delle temperature di funzionamento da -55°C a +150°C e sono disponibili in package TO-252, TO-247 e TO-247N. Questi componenti termicamente efficienti offrono una resistenza termica inferiore, che li rende soluzioni IGBT adatte ad alimentatori a commutazione (SMPS), gruppi di continuità (UPS) e applicazioni di correzione del fattore di potenza (PFC).