SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Modello ECAD:
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Tube
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Prodotto analogo

Analog Devices SSM2212RZ
Analog Devices
Transistor bipolari - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
Analog Devices Inc.
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: Analog Devices
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 540 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.