AS6C4008-55BINTR

Alliance Memory
913-AS6C4008-55BINTR
AS6C4008-55BINTR

Produttore:

Descrizione:
SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM

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Alliance Memory
Categoria prodotto: SRAM
RoHS::  
4 Mbit
512 k x 8
55 ns
Parallel
5.5 V
2.7 V
60 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-36
Reel
Marchio: Alliance Memory
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: TW
Tipo di memoria: SDR
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: SRAM
Serie: AS6C4008
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.