AS4C128M8D3LB-12BCN

Alliance Memory
913-A4C1288D3LB12BCN
AS4C128M8D3LB-12BCN

Produttore:

Descrizione:
DRAM DDR3, 1G, 128M x 8, 1.35V, 78-ball BGA, 800MHz, (B die), Commercial Temp - Tray

Modello ECAD:
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Alliance Memory
Categoria prodotto: DRAM
RoHS::  
SDRAM - DDR3L
1 Gbit
8 bit
800 MHz
FBGA-78
128 M x 8
225 ps
1.283 V
1.45 V
0 C
+ 95 C
AS4C128M8D3LB
Tray
Marchio: Alliance Memory
Paese di assemblaggio: Not Available
Paese di diffusione: Not Available
Paese di origine: TW
Sensibili all’umidità: Yes
Stile di montaggio: SMD/SMT
Tipo di prodotto: DRAM
Quantità colli di fabbrica: 242
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Corrente di alimentazione - Max: 72 mA
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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

DDR3 Synchronous DRAM

Alliance Memory DDR3 Synchronous DRAM (SDRAM) achieves high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3 DRAM key features, and all of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with differential DQS pairs in a source synchronous fashion. These Alliance Memory devices operate with a single 1.5V ± 0.075V power supply and are available in BGA packages.

DDR3L SDRAM

Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface that transfers two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. Alliance Memory DDR3L SDRAM is available in various package sizes.