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AS4C128M32MD2A-18BIN

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N. Mouser:

913-4C12832MD2A18BIN

N. produttore:

AS4C128M32MD2A-18BIN

Produttore:

Alliance Memory

Descrizione:

DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tray

Ciclo di vita:

Obsoleto

Scheda dati:

AS4C128M32MD2A-18BIN Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Alliance Memory
Categoria prodotto:	DRAM
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
Tipo:	SDRAM Mobile - LPDDR2
Dimensioni memoria:	4 Gbit
Larghezza bus dati:	32 bit
Frequenza di clock massima:	533 MHz
Package/involucro:	FBGA-134
Organizzazione:	128 M x 32
Tempo di accesso:	18 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	1.14 V
Tensione di alimentazione - Max.:	1.95 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	AS4C128M32MD2A-18
Confezione:	Tray
Marchio:	Alliance Memory
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Tipo di prodotto:	DRAM
Quantità colli di fabbrica:	171
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Corrente di alimentazione - Max:	130 mA
Peso unità:	36,420 g

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Scheda dati

AS4C128M32MD2A-18BIN Scheda dati (PDF)

REACH Declaration (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

DDR2 SDRAM

Alliance Memory DDR2 SDRAM is designed to comply with DDR2 SDRAM key features. Features such as posted CAS# with additive latency, Write latency=Read latency -1, and On-Die Termination (ODT). All of the control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks. Inputs are latched at the cross point of differential clocks (CK rising and CK# falling). All I/Os are synchronized with a pair of bidirectional strobes (DQS and DQS#) in a source synchronous fashion. The address bus is used to convey row, column, and bank address information in RAS #, CAS# multiplexing style.