ALD110900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900ASAL
Price: 8.05 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

585-ALD110900ASAL

N. produttore:

ALD110900ASAL

Produttore:

Advanced Linear Devices

Descrizione:

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

Scheda dati:

ALD110900ASAL Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Advanced Linear Devices
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOIC-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	10 V
Id - corrente di drain continua:	12 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	0 V
Temperatura di lavoro minima:	0 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 70 C
Pd - Dissipazione di potenza:	500 mW
Modalità canale:	Depletion
Confezione:	Tube
Marchio:	Advanced Linear Devices
Configurazione:	Dual
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Serie:	ALD110900A
Quantità colli di fabbrica:	50
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	2 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	10 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns
Peso unità:	74 mg