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BSS123-G

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N. Mouser:

863-BSS123-G

N. produttore:

BSS123-G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET FET 100V 6.0 MOHM

Ciclo di vita:

Fine vita:

la produzione sta per cessare.

Scheda dati:

BSS123-G Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Avviso di spedizione:

Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
Limitazioni per la spedizione:	Attualmente Mouser non vende questo prodotto nella tua regione.
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SOT-23-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	170 mA
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	10 Ohms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	1.8 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	360 mW
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	2.4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	0.08 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	9 ns
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	17 ns
Tipico ritardo di accensione:	1.7 ns
Peso unità:	8 mg