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IPW60R017C7XKSA1

Name: Infineon IPW60R017C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPW60R017C7XKSA1
Price: 18.93 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPW60R017C7XKSA1

N. produttore:

IPW60R017C7XKSA1

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET HIGH POWER_NEW

Scheda dati:

IPW60R017C7XKSA1 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	109 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	17 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	240 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	446 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	CoolMOS
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	25 ns
Serie:	CoolMOS C7
Quantità colli di fabbrica:	240
Sottocategoria:	Transistors
Ritardo di spegnimento tipico:	106 ns
Tipico ritardo di accensione:	30 ns
Alias n. parte:	IPW60R017C7 SP001313542
Peso unità:	6 g

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Packaging:PG-TO247-3-41 | IPW60R017C7XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

Simulation Model CoolMOS™ Power MOSFET PSpice 600V C7 (CAP)

Technical Resources

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Germania
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Germania

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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	18,93 €	18,93 €
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IPW60R017C7XKSA1

Produttore: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET HIGH POWER_NEW

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