IMZA65R048M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R048M1HXKS
IMZA65R048M1HXKSA1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo di vita:
NRND:
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Infineon
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
39 A
64 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
CoolSiC
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 13 ns
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 12.6 ns
Serie: IMZA65R048
Quantità colli di fabbrica: 240
Sottocategoria: Transistors
Polarità transistor: N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 17 ns
Tipico ritardo di accensione: 14.8 ns
Alias n. parte: IMZA65R048M1H SP005398433
Peso unità: 6 g
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Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Austria
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Austria
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Sistemi di accumulo di energia residenziali (ESS)

Le soluzioni di stoccaggio residenziale (ESS) di Infineon offrono una vasta gamma di prodotti per creare e gestire infrastrutture energetiche resilienti a un costo ottimale. ESS offre due casi di utilizzo principali. Il primo è la creazione di case a energia solare indipendenti (ESS residenziale). Su una scala più ampia, il secondo caso di utilizzo è l'utilità che completa la potenza generata durante i periodi di domanda elevata (ESS su scala di utenza).

MOSFET e diodi CoolSiC™ al carburo di silicio

I MOSFET e i diodi CoolSiC™ al carburo di silicio di Infineon costituiscono un portafoglio in grado di soddisfare le necessità di generazione, trasmissione e consumo dell'energia più intelligenti ed efficienti. Il portafoglio CoolSiC risponde alle esigenze dei clienti in termini di riduzione delle dimensioni e dei costi in sistemi a potenza media-alta, pur soddisfacendo i più elevati standard di qualità, per garantire lunga durata ed affidabilità ai sistemi. CoolSiC consente ai clienti di raggiungere gli obiettivi di efficienza più rigorosi, riducendo i costi operativi del sistema. La gamma comprende diodi Schottky CoolSiC, moduli ibridi CoolSiC, moduli MOSFET CoolSiC e CI gate driver EiceDRIVER™ per il pilotaggio di dispositivi al carburo di silicio.

MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V

I MOSFET di potenza a trincea   CoolSiC™ M1 da 650 V di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET CoolSiC M1 sono costruiti su un processo all’avanguardia dei semiconduttori a trincea ottimizzato per fornire le minori perdite di applicazione e la   massima affidabilità di funzionamento . Adatti per temperature elevate e operazioni difficili, questi dispositivi consentono l’implementazione semplificata ed economica della massima efficienza di sistema. 

Prova la differenza di potenza

Infineon è il leader nel mercato dei semiconduttori di potenza. Con oltre 20 anni di esperienza e come pioniere dell'innovazione con la rivoluzionaria tecnologia MOSFET a supergiunzione CoolMOS™, Infineon continua a essere all'avanguardia nel settore della gestione energetica. I clienti possono scegliere - in base ai requisiti individuali di progettazione/di sistema - dalla più ampia gamma di MOSFET SJ in silicio del settore. Infineon è uno dei pochi produttori in grado di padroneggiare tutte e tre le principali tecnologie di alimentazione, quindi può integrare questo assortimento con innovative offerte WBG (Wide Band Gap). Questa offerta comprende MOSFET CoolSiC™a base di carburo di silicio, i diodi corrispondenti e HEMT CoolGaN ™ a base di nitruro di gallio. Sono disponibili varie soluzioni, da quelle caratterizzate da prezzi eccezionali a quelle con una robustezza senza pari, fino ai dispositivi migliori della categoria. Ciò consente ai clienti di creare applicazioni più efficienti, ecologiche e sostenibili.

MOSFET CoolSiC™

I MOSFET Infineon CoolSiC™ sono costruiti su un processo di semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per consentire sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità durante il funzionamento. Il portafoglio discreto CoolSiC in alloggiamenti TO e SMD è disponibile nelle classi di tensione 650 V, 1200 V e 1700 V, con valori di resistenza da 27 mΩ fino a 1000 mΩ. La tecnologia trench CoolSiC consente un set di parametri flessibile, utilizzato per l’implementazione di funzionalità specifiche per applicazioni nei rispettivi portafogli di prodotti. Queste caratteristiche includono tensioni gate-source, specifiche a valanga, capacità di cortocircuito o diodo del corpo interno classificato per la commutazione hard.

MOSFET CoolSiC™ 650 V

I MOSFET CoolSiC™ 650V Infineon Technologies combinano la resistenza fisica del carburo di silicio con caratteristiche che amplificano le prestazioni, l'affidabilità e la facilità d'uso del dispositivo. Grazie al processo di semiconduttori a trincea all'avanguardia, il MOSFET CoolSiC™ offre le perdite più basse dell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento. CoolSiC è la soluzione ideale per l'uso in applicazioni ad alta temperatura e in ambienti difficili.

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-,-- €
Prezzo esteso:
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Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
9,56 € 9,56 €
6,76 € 67,60 €
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