BD13916STU

onsemi
512-BD13916STU
BD13916STU

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT NPN Epitaxial Sil

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
Through Hole
TO-126-3
NPN
Single
1.5 A
80 V
80 V
5 V
500 mV
12.5 W
+ 150 C
BD139
Tube
Marchio: onsemi
Corrente continua collettore: 1.5 A
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 40
Guadagno in corrente CC hFE max: 250
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 1920
Sottocategoria: Transistors
Alias n. parte: BD13916STU_NL
Peso unità: 761 mg
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Cina
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.