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IPD50N08S4-13

Name: Infineon IPD50N08S4-13
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD50N08S4-13
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

726-IPD50N08S4-13

N. produttore:

IPD50N08S4-13

Produttore:

Infineon Technologies

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Scheda dati:

IPD50N08S4-13 Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

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Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,641 €	64,10 €
	0,525 €	262,50 €
	0,476 €	476,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,403 €	1.007,50 €
	0,389 €	1.945,00 €
	0,38 €	9.500,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

Confezione alternativa

Produttore Codice prodotto:

IPD50N08S413ATMA1

Imballaggio:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilità:

A magazzino

Prezzo:

1,47 €

Min:

Prodotto analogo

Produttore:

Infineon Technologies

N. produttore:

IPD50N08S413ATMA1

Descrizione:

MOSFET N-CHANNEL 75/80V

Confronta con la parte attuale

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	50 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	11.2 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	30 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	72 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11.8 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	3.6 ns
Serie:	XPD50N08
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	6.4 ns
Tipico ritardo di accensione:	5 ns
Alias n. parte:	SP000988948 IPD50N08S413ATMA1
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

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Product Catalogs

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 75V to 100V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications. These modules are available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These Infineon MOSFETs are ideal for fuel injection systems, in-vehicle wireless charging applications, and the C0₂ emission-reducing 48V power subsystem known as Board Net.